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告诉你变频器维修详解IGBT单管驱动+保护

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告诉你变频器维修详解IGBT单管驱动+保护

发布日期:2019-12-30 作者: 点击:

        很多人都知道,变频器的GBT单管非常脆弱,具有相同电流容量的GBT单管比具有相同电流容量的 MOSFET更脆弱。也就是说,在变频器维修的H桥中,MOSFET没有问题,但上升,可能在负载启动时会烧断,这个估计很多人也知道这一点。有些朋友可能认为|RFP460,20A/500 MOSFET,加上SGH40N60UFD40A/600VGBT应足以防止爆炸,但实际情况是,装载后突然装卸,很可能轰炸机已经不见了。通过不断的实践,发现事实上,只要遭循特定的规律,就可以完全防止轰炸机的发生。即使采用峰值电流保护措施,lGBT也不会被烧毁。

        我们将在几个部分中解决这个问题来解决

        1.驱动电路

        2.集电电流

        3.保护机制

        首先是驱动电路

        这次使用的IGBT是ⅨYS,IXGH48N60B3D1,详细规格如下:ⅨXGH48N60B3D1

        驱动电路如下

        这是一种非常典型的应用电路,可用于IGBT或 MOSFET,但存在一些差异

        1.有一个负电压发生电路

        2.隔离驱动

        3.独立供电

        首先,我们来看看整体。该电路没有保护,用于变频器100%会烧毁,但我们可以理解该电路的本质

        驱动电阻R2,这在驱动器中非常重要。当D1闭合时,IGBT的CGE快速放电。实际上,有必要使用这个D1,或者它可以在D1环路中串联连接。当0FF关闭时,电阻会产生栅极电阻以下是几个波形,不同栅极电阻和高压HV400的图片,上下IGBT门的实际情况。

        

变频器厂家


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